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Typical Characteristics
5
(continued)
1000
I D = -1.9A
V DS = -5V
4
3
-15V
-10V
300
C iss
2
1
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C oss
C rss
0
0
1
2
3
4
30
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
Q g , GAT E CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
5
-V DS , DRAIN T O SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
IMI
N)
S(O
1m
10m
0m
10
3
1
0.3
0.1
T
L
RD
V GS = -4.5V
SINGLE PULSE
10
1s
DC
s
s
s
100
us
4
3
2
SINGLE PULSE
R θ JA =180°C/W
T A = 25°C
0.03
R θ JA = 180°C/W
T A = 25°C
1
0.01
0.1
0.2
0.5 1 2 5 10
20
50
0
0.01
0.1
1 10
100
300
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.2
0.1
0.2
0.1
P(pk)
R θ JA =180°C/W
0.05
0.05
t 1
t 2
0.02
0.01
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.02
0.01
Single Pulse
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDC6306P Rev. C
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